AMD引入三星4nm制程设计新I/O芯片 因台积电产能没有足

AMD正在斟酌应用三星电子的4纳米工艺为下一代效劳器出产中心处置器I/O芯片。AMD现在正在研发新一代Zen 6架构处置器产物，并开辟新系列效劳器跟客户端I/O芯片（cIOD 跟 sIOD）。I/O芯片对AMD芯片来说是至关主要，它包括处置器的全部非中心组件，包含内存把持器、PCIe root complex以及与CCD跟多插槽衔接的Infinity Fabric互连。此前的新闻标明，AMD打算采取4nm制程计划这一代I/O 芯片，此前的风闻多为AMD将应用台积电N4P工艺，这也是AMD现在主流处置器芯片所采取的制程。但依据最新的爆料来看，AMD仿佛正在斟酌其余代工计划。据韩媒the bell新闻，AMD正在斟酌应用三星电子的4纳米工艺为下一代效劳器出产中心处置器I/O芯片。为此曾经制作出了原型产物。AMD已应用三星的代工场出产了多种产物，现在正在出产AMD子公司XILINX的芯片产物。AMD决议应用三星电子的代工场，很可能是遭到台积电缺少4纳米工艺产能的影响。据信，台积电的4nm工艺重要用于为英伟达跟AMD出产人工智能减速器。AMD采取的很可能是三星4LPP制程，也被称为SF4，自2022年以来始终处于量产状况。下表表现了SF4与，此中表现SF4对照台积电N4P跟Intel4制程时表示介于两者之间。SF4的晶体管密度与N5相称，与AMD以后一代sIOD跟cIOD所应用的台积电N6比拟，晶体管密度有了明显进步。新的4纳米节点将容许AMD下降I/O芯片的TDP，实行新的电源治理处理计划，更主要的是，全新的I/O芯片，将会带来新的内存把持器，以支撑更高的DDR5速率，并兼容新型DIMM，如CUDIMM、带RCD的RDIMM等。